像素讀出頻率的限制
2020-03-02 16:24:14
下限：為避免熱激發(fā)產(chǎn)生的電子（暗電流）的影響，要求電荷包從一個(gè)柵極轉(zhuǎn)移到下一個(gè)柵極所用時(shí)間t必須小于暗電子（P-Si少子）的平均壽命τi，平均壽命與溫度相關(guān)，溫度越高，壽命越短。對三相耦合讀出結(jié)構(gòu)來說，讀出頻率：
上限：轉(zhuǎn)移時(shí)間應(yīng)大于電荷從一個(gè)柵極移動(dòng)到另一個(gè)柵極的時(shí)間τg
表面溝道CCD的讀出頻率≤10MHz
隱埋溝道CCD的讀出頻率≤240MHz
上述內(nèi)容由我司Jerry Huang 整理收集，僅用于知識的分享和共同學(xué)習(xí)，未經(jīng)過同意不得擅自轉(zhuǎn)載。