產(chǎn)品介紹

  勞厄單晶定向系統(tǒng)對(duì)于晶體切割、拋光、大裝置實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備以及渦輪葉片制造等許多工業(yè)應(yīng)用至關(guān)重要。這些系統(tǒng)的關(guān)鍵性能通過對(duì)準(zhǔn)精度、循環(huán)時(shí)間和勞厄軟件的易用性來衡量。勞厄（Laue）單晶實(shí)時(shí)定向系統(tǒng)結(jié)合了多項(xiàng)關(guān)鍵創(chuàng)新。高分辨率、高靈敏度和堅(jiān)固的 X 射線 CCD 相機(jī)具有無與倫比的有效面積，可用于測(cè)量勞厄衍射點(diǎn)。定制的風(fēng)冷 X 射線源無需使用水冷，同時(shí)為標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)提供光斑尺寸為 450 μm 的高亮度 X 射線束。

  專用軟件套件允許用戶驅(qū)動(dòng)平移臺(tái)、X 射線源、相機(jī)并執(zhí)行勞厄分析。勞厄分析工具對(duì)于通過自動(dòng)峰值標(biāo)引加速單晶定向至關(guān)重要，使其成為真正用戶友好且高效的工具。這種高探測(cè)器分辨率、明亮的衍射峰和小光斑尺寸的組合，使 Si 參考樣品的典型曝光時(shí)間為 1-3 秒，精度為 0.1 度。最終成果是一種快速、準(zhǔn)確的勞厄單晶定向工具，其設(shè)計(jì)充分考慮了易用性，從而提供了下一代勞厄單晶定向系統(tǒng)。

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1、晶體生長(zhǎng)質(zhì)量快速測(cè)試?yán)鳎篨射線勞厄(Laue)實(shí)時(shí)晶體定向系統(tǒng)

產(chǎn)品特點(diǎn)

ü  提供垂直、水平和晶粒取向映射（mapping）三種配置

ü  即插即用的緊湊型機(jī)柜系統(tǒng) - 無需定制工作臺(tái)或額外服務(wù)

ü  全自動(dòng)電動(dòng) XYZ 平臺(tái)和測(cè)角儀，提供手動(dòng)選項(xiàng)

ü  CCD 背反射、高分辨率、高靈敏度 X 射線探測(cè)器

ü  風(fēng)冷 X 射線源 - 無需水冷器

ü  標(biāo)準(zhǔn)光束尺寸為 450 μm，精細(xì)聚焦時(shí)為 250 μm

ü  使用機(jī)載的高分辨率觀察相機(jī)快速精確對(duì)準(zhǔn)小晶體

ü  距離測(cè)量工具，用于垂直配置的精確和可重復(fù)的樣品定位

ü  專用 Laue 軟件，用于完全控制、數(shù)據(jù)采集、處理和分析

ü  高通量樣品篩選選項(xiàng)

垂直勞厄配置

垂直勞厄系統(tǒng)具有最靈活的配置，它使用垂直光束路徑對(duì)多個(gè)孤立晶體或多個(gè)感興趣區(qū)域進(jìn)行高通量掃描。利用重力，樣品無需粘附在平臺(tái)上，從而更容易安裝和定向晶體。   垂直系統(tǒng)還可以從水平光束機(jī)械指針升級(jí)到激光指導(dǎo)距離傳感器，以優(yōu)化樣品到探測(cè)器的距離并糾正勞厄圖案模擬以標(biāo)引晶體。 小于 450μm（200 μm可選）的X射線光束尺寸，既可適用于亞毫米范圍的樣品，又可用于納渦輪合金等較大的部件。

水平勞厄配置

水平光路系統(tǒng)非常適合晶體切割的定向或快速掃描晶體以識(shí)別反射。這種配置通常適合那些進(jìn)行晶體切割的人，他們希望勞厄?qū)嶒?yàn)的幾何形狀與切割器相匹配。

晶粒映射(Mapping)系統(tǒng)

垂直系統(tǒng)配備特殊的攝像機(jī)、鏡頭、照明和映射軟件，用于測(cè)量每個(gè)晶粒的方向。晶粒映射標(biāo)配了全電動(dòng) XYZ 平臺(tái)和測(cè)角儀。它是硅片晶粒測(cè)繪的理想選擇。

主要參數(shù)

系統(tǒng)配置可選項(xiàng)

勞厄圖像對(duì)準(zhǔn)軟件

ü  自動(dòng)檢測(cè)衍射點(diǎn)并根據(jù)參考晶體計(jì)算點(diǎn)位置

ü  根據(jù)測(cè)角儀和晶體軸自動(dòng)計(jì)算誤差方向（無需手動(dòng)擬合或扭曲圖案）

ü  直觀的工作流程，適用于多用戶操作和非專家晶體學(xué)用戶

ü  以 CSV 格式保存角度測(cè)量值用于質(zhì)量保證可追溯性

ü  內(nèi)置宏接口用于自動(dòng)執(zhí)行重復(fù)例程

ü  兼容 CFL 數(shù)據(jù)文件

ü  遠(yuǎn)程訪問控制用于持續(xù)服務(wù)支持和最大限度地減少停機(jī)時(shí)間

應(yīng)用

ü  晶體生長(zhǎng)

ü  實(shí)時(shí)晶體定向

ü  晶體表征

ü  晶體切割

ü  光伏檢測(cè)

ü  寶石檢測(cè)

ü  多晶硅晶片的二維取向mapping

ü  半導(dǎo)體晶體

ü  晶圓檢測(cè)